【型号】: AON6508
【封装】: 8DFN
【品牌】: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
【包装】:3000
【品质】:百分百全新原厂原装正品
FET 类型 | N 沟道 | |
---|---|---|
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 29A(Ta),32A(Tc) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 3.2 毫欧 @ 20A,10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 49nC @ 10V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2010pF @ 15V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 4.2W(Ta),41W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
供应商器件封装 | 8-DFN(5x6) | |
封装/外壳 | 8-PowerSMD,扁平引线 |
FET 类型 | N 沟道 | |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 29A(Ta),32A(Tc) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 3.2 毫欧 @ 20A,10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 49nC @ 10V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2010pF @ 15V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 4.2W(Ta),41W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
供应商器件封装 | 8-DFN(5x6) | |
封装/外壳 | 8-PowerSMD,扁平引线 |