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AO4443
型号:AO4443
功能类别:三极管 ,

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产品参数


【型号】: AO4443



【封装】: 8SOIC



【品牌】: Alpha & Omega Semiconductor Inc.



【包装】:3000



【品质】:百分百全新原厂原装正品


FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 42 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1175pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 42 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1175pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

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