【型号】: AO4407AL
【封装】: 8SOIC
【品牌】: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
【包装】:3000
【品质】:百分百全新原厂原装正品
FET 类型 | P 沟道 | |
---|---|---|
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 12A(Ta) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,20V | |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 11 毫欧 @ 12A,20V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 39nC @ 10V | |
Vgs(最大值) | ±25V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2600pF @ 15V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 3.1W(Ta) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
供应商器件封装 | 8-SOIC | |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
FET 类型 | P 沟道 | |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 12A(Ta) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,20V | |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 11 毫欧 @ 12A,20V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 39nC @ 10V | |
Vgs(最大值) | ±25V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2600pF @ 15V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 3.1W(Ta) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
供应商器件封装 | 8-SOIC | |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |