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【型号】: SPP04N60C3
【封装】: TO-220
【品牌】: Infineon Technologies
【包装】:500
【品质】:百分百全新原厂原装正品
| 零件状态 | 不適用於新設計 | |
|---|---|---|
| FET 类型 | N 沟道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 4.5A（Tc） | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 950 毫欧 @ 2.8A，10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.9V @ 200µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 490pF @ 25V | |
| FET 功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 50W（Tc） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO-220-3 | |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 零件状态 | 不適用於新設計 | |
|---|---|---|
| FET 类型 | N 沟道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 4.5A（Tc） | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 950 毫欧 @ 2.8A，10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.9V @ 200µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 490pF @ 25V | |
| FET 功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 50W（Tc） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO-220-3 | |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
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