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【型号】: SI4559ADY
【封装】: 8-SOIC
【品牌】: Vishay Siliconix
【包装】:2500
【品质】:百分百全新原厂原装正品
FET 类型 | N 和 P 沟道 | |
---|---|---|
FET 功能 | 逻辑电平门 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 5.3A,3.9A | |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 58 毫欧 @ 4.3A,10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 20nC @ 10V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 665pF @ 15V | |
功率 - 最大值 | 3.1W,3.4W | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | |
供应商器件封装 | 8-SO | |
基本零件编号 | SI4559 |
FET 类型 | N 和 P 沟道 | |
---|---|---|
FET 功能 | 逻辑电平门 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 5.3A,3.9A | |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 58 毫欧 @ 4.3A,10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 20nC @ 10V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 665pF @ 15V | |
功率 - 最大值 | 3.1W,3.4W | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | |
供应商器件封装 | 8-SO | |
基本零件编号 | SI4559 |