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【型号】: IRFB31N20DPBF
【封装】: TO-220AB
【品牌】: Infineon Technologies
【包装】:1000
【品质】:百分百全新原厂原装正品
| FET 类型 | N 沟道 | |
|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 31A（Tc） | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 82 毫欧 @ 18A，10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5.5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 107nC @ 10V | |
| Vgs（最大值） | ±30V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2370pF @ 25V | |
| FET 功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），200W（Tc） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
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