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CSD19537Q3

型号：CSD19537Q3
功能类别：二极管 ,

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产品参数

【型号】: CSD19537Q3

【封装】: 8VSON

【品牌】: Texas Instruments

【包装】:2500

【品质】:

FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	50A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	14.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	21nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1680pF @ 50V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.8W（Ta）, 83W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	8-VSON（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerVDFN

百分百全新原厂原装正品

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 14.5 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.6V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 21nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1680pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.8W（Ta）, 83W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 8-VSON（3.3x3.3）

封装/外壳 8-PowerVDFN