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【封装】: TO220
【品牌】: IR
【包装】: 50/管
【品质】:百分百全新原厂原装正品
IRFB31N20DPBF 参数规格PDF:
| FET 类型 | N 沟道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源极电压（Vdss） | 200V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 31A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 82 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 107nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 2370pF @ 25V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W (Ta), 200W (Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
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