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| FET 类型 | P 通道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 25A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 80 毫欧 @ 25A，5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±15V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1260pF @ 25V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 75W（Tj） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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