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IRF730PBF
型号:IRF730PBF
功能类别:晶体管 ,

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产品参数
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 400V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 74W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
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