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FQP55N10
型号:FQP55N10
功能类别:晶体管 ,

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产品参数

【型号】:FQP55N10


【封装】: TO220


【品牌】: FAIRCHILD


【包装】:1000


【品质】:


百分百全新原厂原装正品

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 26 毫欧 @ 27.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 10V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2730pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 155W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
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