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FQP9P25

型号： FQP9P25
功能类别：晶体管 ,

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产品参数

【型号】:FQP9N25

【封装】:TO220

【品牌】: ON

【包装】: 1000

【品质】:

百分百全新原厂原装正品

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 250V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 620 毫欧 @ 4.7A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 38nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1180pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 120W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装 TO-220-3

封装/外壳 TO-220-3

FET 类型	P 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	9.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	620 毫欧 @ 4.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	38nC @ 10V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1180pF @ 25V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	120W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220-3
封装/外壳	TO-220-3