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IPP200N25N3G
型号:IPP200N25N3G
功能类别:晶体管 ,

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产品参数


【型号】: IPP200N25N3G



【封装】: TO220-3



【品牌】: Infineon Technologies



【包装】:
500        



【品质】:


百分百全新原厂原装正品

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 64A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 86nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7100pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-3
封装/外壳 TO-220-3





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