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IPD180N10N3G

型号：IPD180N10N3G
功能类别：晶体管 ,

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产品参数

【型号】: IPD180N10N3G

【封装】: TO252-3

【品牌】: Infineon Technologies

【包装】:2500

【品质】:

FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	43A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	18 毫欧 @ 33A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 33µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	25nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1800pF @ 50V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	71W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	PG-TO252-3
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

百分百全新原厂原装正品

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 43A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 33A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 33µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 25nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 71W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 PG-TO252-3

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63