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STD3NK60ZT4

型号：STD3NK60ZT4
功能类别：集成电路IC ,

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产品参数

【型号】：STD3NK60ZT4

【封装】: TO252

【品牌】：ST

【包装】: 2500

【品质】：百分百全新原厂原装正品

零件状态不適用於新設計

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.6 欧姆 @ 1.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 50µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 11.8nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 311pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 45W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 DPAK

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

零件状态	不適用於新設計
FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	11.8nC @ 10V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	311pF @ 25V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	45W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	DPAK
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63