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2SK3019 TL

型号：2SK3019 TL
功能类别：二极管 ,

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产品参数

【型号】:2SK3019 TL

【封装】:SOT416

【品牌】: Rohm Semiconductor

【包装】

:3000

零件状态不適用於新設計

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8 欧姆 @ 10mA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 100µA

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13pF @ 5V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 150mW（Ta）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 EMT3

封装/外壳 SC-75，SOT-416

零件状态	不適用於新設計
FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	8 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 100µA
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	13pF @ 5V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	150mW（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	EMT3
封装/外壳	SC-75，SOT-416