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FQD17P06TM
型号:FQD17P06TM
功能类别:晶体管 ,

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产品参数


【型号】: FQD17P06TM  



【封装】: DPAK



【品牌】: ON Semiconductor



【包装】:2500



【品质】:


百分百全新原厂原装正品

FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 135 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63





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