深圳市品超电子有限公司

给你一颗正品的芯

晶体管

产品中心

首页 >> 产品中心 >> 晶体管

FDC5614P

型号：FDC5614P
功能类别：晶体管 ,

立即咨询

◆ 专注现货供应,承诺只做原装正品！实时报价,最快当天发货！
◆ 您可通过电话、邮件或在线QQ方式与销售代表联系询价及采购

产品参数

【型号】: FDC5614P

【封装】: SSOT-6

【品牌】: ON Semiconductor

【包装】:3000

【品质】:

FET 类型	P 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	105 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	24nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	759pF @ 30V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.6W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	SuperSOT™-6
封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

百分百全新原厂原装正品

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 105 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 24nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 759pF @ 30V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 SuperSOT™-6

封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6