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ECH8601M-TL-H

型号：ECH8601M-TL-H
功能类别：晶体管 ,

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产品参数

【型号】: ECH8601M-TL-H

【封装】: ECH8

【品牌】: ON Semiconductor

【包装】:3000

【品质】:

FET 类型	2 N 沟道（双）共漏
FET 功能	逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源电压（Vdss）	24V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	8A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	23 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	7.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SMD，扁平引线
供应商器件封装	8-ECH

百分百全新原厂原装正品

FET 类型 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss） 24V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 23 毫欧 @ 4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -

工作温度 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装 8-ECH