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STF8NK100Z

型号：STF8NK100Z
功能类别：集成电路IC ,

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产品参数

【型号】:STF8NK100Z

【封装】:TO220FP

【品牌】: STMicroelectronics

【包装】:50

【品质】:

百分百全新原厂原装正品

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 1000V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.85 欧姆 @ 3.15A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 102nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2180pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 40W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装 TO-220FP

封装/外壳 TO-220-3 整包

FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	1.85 欧姆 @ 3.15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	102nC @ 10V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2180pF @ 25V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	40W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220FP
封装/外壳	TO-220-3 整包